PECVD设备

满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。CVD系统性能特点：
结构形式：1—4管卧式热壁型
硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
温度范围：300～1100℃
恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
淀积薄膜均匀性： 片内±5％      片间±5％      批间±5％
沉积膜厚度：600～15000A
系统极限真空度：优于1Pa
工作压力范围：20～133Pa闭环控制
控制方式：工业微机
送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
淀积薄膜分类：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
真空泵：罗茨泵、机械泵
工艺气路：5路气／管。VCR接口
40KFIz脉宽调制AE高频电源
装片量：200片／舟